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IRF6665TR1
- Modelo do Produto:
- IRF6665TR1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 16807 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF6665TR1.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ SH |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric SH |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | IRF6665TR1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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