IRF6665TR1
IRF6665TR1
Modelo do Produto:
IRF6665TR1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16807 Pieces
Ficha de dados:
IRF6665TR1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ SH
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:62 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric SH
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:IRF6665TR1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.2A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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