IRF6678TR1PBF
IRF6678TR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6678TR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13290 Pieces
Ficha de dados:
IRF6678TR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.25V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ MX
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric MX
Outros nomes:IRF6678TR1PBFTR
SP001525486
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6678TR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5640pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

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