IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6710S2TR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14146 Pieces
Ficha de dados:
IRF6710S2TR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET S1
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.9 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta), 15W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric S1
Outros nomes:IRF6710S2TR1PBFTR
SP001530274
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6710S2TR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1190pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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