Comprar IRF6710S2TR1PBF com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 25µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET S1 |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric S1 |
Outros nomes: | IRF6710S2TR1PBFTR SP001530274 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IRF6710S2TR1PBF |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 13V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 25V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 25V |
Descrição: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 37A (Tc) |
Email: | [email protected] |