IRF6712STR1PBF
IRF6712STR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6712STR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19652 Pieces
Ficha de dados:
IRF6712STR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ SQ
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.9 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 36W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric SQ
Outros nomes:IRF6712STR1PBF-ND
IRF6712STR1PBFTR
SP001530880
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6712STR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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