IRF6720S2TRPBF
IRF6720S2TRPBF
Modelo do Produto:
IRF6720S2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16797 Pieces
Ficha de dados:
IRF6720S2TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET S1
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.7W (Ta), 17W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric S1
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6720S2TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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