IRF6892STR1PBF
Modelo do Produto:
IRF6892STR1PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17958 Pieces
Ficha de dados:
IRF6892STR1PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ S3C
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.7 mOhm @ 28A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric S3C
Outros nomes:IRF6892STR1PBF-ND
SP001526954
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF6892STR1PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2510pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 28A S3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:28A (Ta), 125A (Tc)
Email:[email protected]

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