IRF7769L2TRPBF
IRF7769L2TRPBF
Modelo do Produto:
IRF7769L2TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19473 Pieces
Ficha de dados:
IRF7769L2TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET L8
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 74A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric L8
Outros nomes:IRF7769L2TRPBF-ND
IRF7769L2TRPBFTR
SP001577490
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF7769L2TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11560pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:375A (Tc)
Email:[email protected]

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