IRF7910PBF
IRF7910PBF
Modelo do Produto:
IRF7910PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17400 Pieces
Ficha de dados:
IRF7910PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 8A, 4.5V
Power - Max:2W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SP001560068
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRF7910PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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