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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF
IRF9Z24SPBF
Modelo do Produto:
IRF9Z24SPBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14492 Pieces
Ficha de dados:
IRF9Z24SPBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:280 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.7W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IRF9Z24SPBFCT
IRF9Z24SPBFCT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF9Z24SPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 11A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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