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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
Modelo do Produto:
IRF9Z34NSTRLPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14344 Pieces
Ficha de dados:
IRF9Z34NSTRLPBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.8W (Ta), 68W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:IRF9Z34NSTRLPBF-ND
IRF9Z34NSTRLPBFTR
SP001554544
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF9Z34NSTRLPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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