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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFBC20STRR
IRFBC20STRR
IRFBC20STRR
Modelo do Produto:
IRFBC20STRR
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16577 Pieces
Ficha de dados:
IRFBC20STRR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFBC20STRR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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