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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF
Modelo do Produto:
IRFBF20LPBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19448 Pieces
Ficha de dados:
IRFBF20LPBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 54W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:*IRFBF20LPBF
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFBF20LPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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