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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFBF30SPBF
IRFBF30SPBF
IRFBF30SPBF
Modelo do Produto:
IRFBF30SPBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15598 Pieces
Ficha de dados:
IRFBF30SPBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:*IRFBF30SPBF
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFBF30SPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 900V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

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