IRFD024PBF
IRFD024PBF
Modelo do Produto:
IRFD024PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13322 Pieces
Ficha de dados:
IRFD024PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.3W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Outros nomes:*IRFD024PBF
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFD024PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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