IRFH5053TRPBF
IRFH5053TRPBF
Modelo do Produto:
IRFH5053TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17100 Pieces
Ficha de dados:
IRFH5053TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.9V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6) Single Die
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH5053TRPBFTR
SP001556266
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFH5053TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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