IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH8337TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12214 Pieces
Ficha de dados:
IRFH8337TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.2W (Ta), 27W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:IRFH8337TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:IRFH8337TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

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