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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IRFHS9301TR2PBF
IRFHS9301TR2PBF
IRFHS9301TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFHS9301TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15353 Pieces
Ficha de dados:
IRFHS9301TR2PBF.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-PQFN (2x2)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:37 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-PowerVDFN
Outros nomes:IRFHS9301TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFHS9301TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Ta), 13A (Tc)
Email:[email protected]

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