IRFSL4229PBF
IRFSL4229PBF
Modelo do Produto:
IRFSL4229PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19623 Pieces
Ficha de dados:
IRFSL4229PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:48 mOhm @ 26A, 10V
Dissipação de energia (Max):330W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:SP001567750
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFSL4229PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4560pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 45A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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