IRFZ10PBF
IRFZ10PBF
Modelo do Produto:
IRFZ10PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16757 Pieces
Ficha de dados:
1.IRFZ10PBF.pdf2.IRFZ10PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:200 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):43W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:*IRFZ10PBF
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFZ10PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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