ISL9N302AS3
Modelo do Produto:
ISL9N302AS3
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19359 Pieces
Ficha de dados:
ISL9N302AS3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262AA
Série:UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):345W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ISL9N302AS3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-262AA
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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