ISL9R18120S3ST
ISL9R18120S3ST
Modelo do Produto:
ISL9R18120S3ST
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18845 Pieces
Ficha de dados:
ISL9R18120S3ST.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:3.3V @ 18A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Stealth™
Inversa de tempo de recuperação (trr):300ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:ISL9R18120S3ST-ND
ISL9R18120S3STTR
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Número de peça do fabricante:ISL9R18120S3ST
Descrição expandida:Diode Standard 1200V (1.2kV) 18A Surface Mount TO-263AB
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Atual - dispersão reversa @ Vr:100µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):18A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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