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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH22N50P
IXFH22N50P
IXFH22N50P
Modelo do Produto:
IXFH22N50P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16430 Pieces
Ficha de dados:
IXFH22N50P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AD (IXFH)
Série:HiPerFET™, PolarHT™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:270 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):350W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFH22N50P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2630pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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