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IXFN21N100Q
- Modelo do Produto:
- IXFN21N100Q
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descrição:
- MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17226 Pieces
- Ficha de dados:
- IXFN21N100Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IXFN21N100Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IXFN21N100Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-227B |
| Série: | HiPerFET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 500 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 520W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXFN21N100Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5900pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1000V (1kV) 21A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21A |
| Email: | [email protected] |
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