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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN420N10T
IXFN420N10T
IXFN420N10T
Modelo do Produto:
IXFN420N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18168 Pieces
Ficha de dados:
IXFN420N10T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:GigaMOS™ HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max):1070W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:623426
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN420N10T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:47000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:670nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 420A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:420A
Email:[email protected]

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