IXFP22N65X2
IXFP22N65X2
Modelo do Produto:
IXFP22N65X2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14046 Pieces
Ficha de dados:
IXFP22N65X2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):390W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFP22N65X2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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