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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTH20N50D
IXTH20N50D
IXTH20N50D
Modelo do Produto:
IXTH20N50D
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17160 Pieces
Ficha de dados:
IXTH20N50D.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXTH)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:330 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):400W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTH20N50D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Descrição expandida:N-Channel 500V 20A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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