IXTH8P50
IXTH8P50
Modelo do Produto:
IXTH8P50
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13071 Pieces
Ficha de dados:
IXTH8P50.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247 (IXTH)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):180W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTH8P50
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 500V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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