IXTN170P10P
IXTN170P10P
Modelo do Produto:
IXTN170P10P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15959 Pieces
Ficha de dados:
IXTN170P10P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:PolarP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):890W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTN170P10P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:240nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 100V 170A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:170A
Email:[email protected]

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