Comprar IXTN550N055T2 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-227B |
| Série: | GigaMOS™, TrenchT2™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 940W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Outros nomes: | 623216 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXTN550N055T2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 40000pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 595nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 55V 550A 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 550A |
| Email: | [email protected] |