IXTP18P10T
IXTP18P10T
Modelo do Produto:
IXTP18P10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19329 Pieces
Ficha de dados:
IXTP18P10T.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:TrenchP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTP18P10T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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