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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P
Modelo do Produto:
IXTP1R4N120P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13923 Pieces
Ficha de dados:
IXTP1R4N120P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:Polar™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):86W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTP1R4N120P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:666pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1200V (1.2kV) 1.4A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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