IXTR32P60P
IXTR32P60P
Modelo do Produto:
IXTR32P60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15199 Pieces
Ficha de dados:
IXTR32P60P.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:PolarP™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:385 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):310W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS247™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTR32P60P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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