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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTX22N100L
IXTX22N100L
IXTX22N100L
Modelo do Produto:
IXTX22N100L
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15313 Pieces
Ficha de dados:
IXTX22N100L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 11A, 20V
Dissipação de energia (Max):700W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXTX22N100L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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