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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTY01N100
IXTY01N100
Modelo do Produto:
IXTY01N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19829 Pieces
Ficha de dados:
IXTY01N100.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipação de energia (Max):25W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTY01N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:54pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

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