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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTY2N65X2
IXTY2N65X2
Modelo do Produto:
IXTY2N65X2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13655 Pieces
Ficha de dados:
IXTY2N65X2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):55W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTY2N65X2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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