JAN1N5552US
JAN1N5552US
Modelo do Produto:
JAN1N5552US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
12836 Pieces
Ficha de dados:
JAN1N5552US.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 9A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-5B
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/420
Inversa de tempo de recuperação (trr):2µs
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Outros nomes:1086-19414
1086-19414-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:JAN1N5552US
Descrição expandida:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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