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JAN1N5619
- Modelo do Produto:
- JAN1N5619
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 19902 Pieces
- Ficha de dados:
- JAN1N5619.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.6V @ 3A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 250ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | A, Axial |
| Outros nomes: | 1086-2110 1086-2110-MIL |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | JAN1N5619 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 600V 1A Through Hole |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 500nA @ 800V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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