JAN1N5807US
Modelo do Produto:
JAN1N5807US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
18910 Pieces
Ficha de dados:
JAN1N5807US.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para JAN1N5807US, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para JAN1N5807US por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar JAN1N5807US com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:875mV @ 4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):50V
Embalagem do dispositivo fornecedor:B, SQ-MELF
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/477
Inversa de tempo de recuperação (trr):30ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Outros nomes:JAN1N5807US-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:JAN1N5807US
Descrição expandida:Diode Standard 50V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io):6A
Capacitância @ Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações