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JANTX1N5809URS
- Modelo do Produto:
- JANTX1N5809URS
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 13293 Pieces
- Ficha de dados:
- JANTX1N5809URS.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para JANTX1N5809URS, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para JANTX1N5809URS por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | B, SQ-MELF |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 30ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SQ-MELF, B |
| Outros nomes: | 1086-19442 1086-19442-MIL |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | JANTX1N5809URS |
| Descrição expandida: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 5µA @ 100V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A |
| Capacitância @ Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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