JANTXV1N6629US
Modelo do Produto:
JANTXV1N6629US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16403 Pieces
Ficha de dados:
JANTXV1N6629US.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.4V @ 1.4A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):800V
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-5B
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):60ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, E
Outros nomes:JANTXV1N6629US-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:JANTXV1N6629US
Descrição expandida:Diode Standard 800V 1.4A Surface Mount D-5B
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Atual - dispersão reversa @ Vr:2µA @ 800V
Atual - rectificada média (Io):1.4A
Capacitância @ Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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