MBR20035CT
Modelo do Produto:
MBR20035CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15689 Pieces
Ficha de dados:
1.MBR20035CT.pdf2.MBR20035CT.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:650mV @ 100A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):35V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Twin Tower
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Twin Tower
Outros nomes:MBR20035CTGN
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:MBR20035CT
Descrição expandida:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Tipo Diode:Schottky
configuração de diodo:1 Pair Common Cathode
Descrição:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Atual - dispersão reversa @ Vr:5mA @ 20V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):200A (DC)
Email:[email protected]

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