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MJD122T4
- Modelo do Produto:
- MJD122T4
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 14970 Pieces
- Ficha de dados:
- MJD122T4.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MJD122T4, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MJD122T4 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 4V @ 80mA, 8A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.75W |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | MJD122T4OSDKR |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | MJD122T4 |
| Frequência - Transição: | 4MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3 |
| Descrição: | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 4A, 4V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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