MJD44H11-1G
MJD44H11-1G
Modelo do Produto:
MJD44H11-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 80V 8A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18955 Pieces
Ficha de dados:
MJD44H11-1G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
Power - Max:1.75W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:MJD44H11-1GOS
MJD44H111G
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:MJD44H11-1G
Frequência - Transição:85MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Through Hole I-Pak
Descrição:TRANS NPN 80V 8A IPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 4A, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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