MJD45H11T4G
MJD45H11T4G
Modelo do Produto:
MJD45H11T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13733 Pieces
Ficha de dados:
MJD45H11T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK-3
Série:-
Power - Max:1.75W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MJD45H11T4GOS
MJD45H11T4GOS-ND
MJD45H11T4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MJD45H11T4G
Frequência - Transição:90MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
Descrição:TRANS PNP 80V 8A DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 4A, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):8A
Email:[email protected]

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