MS652S
Modelo do Produto:
MS652S
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19630 Pieces
Ficha de dados:
MS652S.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):16V
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:M123
Série:-
Power - Max:25W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:M123
Temperatura de operação:200°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f):-
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MS652S
Ganho:10dB
Frequência - Transição:450MHz ~ 512MHz
Descrição expandida:RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123
Descrição:TRANS RF BIPO 25W 2A M123
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:10 @ 200mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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