MSRT20060(A)D
MSRT20060(A)D
Modelo do Produto:
MSRT20060(A)D
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12231 Pieces
Ficha de dados:
MSRT20060(A)D.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.1V @ 200A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Three Tower
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Three Tower
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MSRT20060(A)D
Descrição expandida:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:1 Pair Series Connection
Descrição:DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):200A
Email:[email protected]

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