MTB50P03HDLT4
MTB50P03HDLT4
Modelo do Produto:
MTB50P03HDLT4
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16248 Pieces
Ficha de dados:
MTB50P03HDLT4.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:MTB50P03HDLT4OSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MTB50P03HDLT4
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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