MTP6P20E
MTP6P20E
Modelo do Produto:
MTP6P20E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
17743 Pieces
Ficha de dados:
MTP6P20E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:MTP6P20EOS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:MTP6P20E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 200V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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