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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G
Modelo do Produto:
MUN5114DW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14357 Pieces
Ficha de dados:
MUN5114DW1T1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:MUN5114DW1T1G-ND
MUN5114DW1T1GOSTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:MUN5114DW1T1G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrição:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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