NDS352AP
Modelo do Produto:
NDS352AP
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14833 Pieces
Ficha de dados:
1.NDS352AP.pdf2.NDS352AP.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:300 mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:NDS352APTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:9 Weeks
Número de peça do fabricante:NDS352AP
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:135pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:900mA (Ta)
Email:[email protected]

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